Fetz schrieb:
K.a. was du gegen die Diode hast - die dürfte ein paar 10µA Leckstrom haben, hat real aber nur ein paar 10nA, und der Strom wird integriert - d.h. der kritische Fall, dass der Leckstrom bei hoher Temperatur ansteigt, ist kein Problem, da er nicht dauernd vorkommt (bzw. hier so gut wie gar nicht).
Lithiumzellen reagieren extrem empfindlich auf Rückladestöme, weshalb diese prinzipiell so klein wie irgend möglich gehalten werden sollten. Anfangs dachte ich auch, dass 10µA bei 20 Grad kein Thema wären, aber die Abhängigkeiten von der Temperatur sind doch gewaltig (Verzwanzigfachung bei 50 Grad). Und im MemoryMoog beispielsweise sind 50 Grad Umgebungstemperatur der Normalfall. Aus diesem Grund habe ich eine Diode rausgesucht, die bei dieser Temperatur weniger als 0,3µA garantiert und trotzdem nur 0,3 Volt Durchlassspannung aufweist. Richtig ist, dass das Rückladungsproblem nur zum Tragen kommt, wenn das Gerät auch eingeschaltet ist: aber das ist halt auch der Zustand, indem mit mehr als 20 Grad gerechnet werden muss!
Die Mehrkosten einer solchen Spezialdiode sind in Bezug auf die geplante Einsatzdauer von einer Dekade sowieso vernachlässigbar. Letztendlich soll die Lithiumbatterie ja vergessen lassen, dass überhaupt ein "Verbrauchsteil" im Gerät verbaut wurde. Daher würde ich schon alles daran setzen, dieses Ziel auch so gut wie möglich zu erreichen.
Fetz schrieb:
Bei uns im Praxiseinsatz (allerdings nur je so rund 100) waren die NiCd nicht besser oder schlechter als die NiMh.
Bei dem vorliegenden Einsatzfall mag es durchaus sein, dass man keine Unterschiede bemerkt. Ich habe eher die allgemeinen bzw. prinzipiellen Eigenschaften der Technologien verglichen. Die Akkus werden ja "unkontrolliert" über eine einfache Erhaltungsladung geladen und letztendlich ist das einzige Kriterium der Datenerhalt im RAM. Ein gekipptes Bit würde man wahrscheinlich auch nicht zwangsläufig bemerken, und ich bezweifele, dass die alten Synths den Speicherihalt per Prüfsumme (oder gar CRC) prüfen.
Zu Langzeitanalysen NiCd vs. NiMH kann ich nicht viel aus der Praxis berichten. Vor 4-5 Jahren habe ich mal in eine Hand voll Geräte mit NiMH Akkus bestückt und keine neagtive Rückmeldung erhalten. Aus dieser Zeit habe ich noch einen Korg Trident mit ersetztem NiMH-Akkus und es gab bislang keine Schwierigkeiten. Das Problem ist nur: ich weiß nie, wie der Ladezustand des Akkus ist und wieviel "Reserve" noch drin ist. Was bleibt, ist das schlechte Gewissen, wenn der Synth wieder mal 1/2 Jahr nicht benutzt wird...
Nach der Erkenntnis, dass
- das Aus- und Einlöten eines Akkus der Platine nicht sonderlich gut tut,
- das Wechseln eines Akkus aufwendiger als das einer Batterie mit Steckkontakt bzw. Batteriehalter ist,
- ein Akku öfters (sicherheitshalber prophylaktisch) getauscht werden muss,
- der normale Anwender das wegen der Lötarbeit oft nicht selber machen kann,
- die Lebensdauer des Akkus mehr vom Benutzerverhalten als von den elektrischen Spezifikationen abhängig ist (wann wird wie oft nachgeladen),
- ein Akku keinen wesentlichen Kostenvorteil bringt,
ist das Thema Akku für die RAM-Speicher-Erhaltung für mich sowieso gestorben.
Fetz schrieb:
Mein Eindruck war immer, das es von der individuellen Kombi abhängt, Ram mit hohem Leckstrom und nicht so doller Akku = früher Ausfall. Nach jahrelanger Benutzung länger rumstehen macht sie beide platt, der Unterschied ist nicht auffällig. Der Punkt ist einfach, das ein benutzter Akku (egal welcher) eine Tiefentladung sowieso mit defekt quittiert.
Da kann ich nur uneingeschränkt zustimmen (s.o.)
Fetz schrieb:
Die Theorie ist, dass diese niedrigere Spannung ein Problem darstellt.
Und da wollte ich wissen, ob das theoretische Bedenken sind (es könnte sein), ingenieurmäßige Zweifel (das Datenblatt lässt es zu, Probleme zu konstruieren), oder Praxiserfahrung (Chip zzzz brauchte tatsächlich x.y Volt für den Datenerhalt.)
Die Formulierung "ingenieurmäßige Zweifel" trifft es ziemlich genau!
(das muss ich mir merken!)
Man denkt über Umgebungsbedingungen nach, überlegt sich die Einflussfaktoren, beachtet die Zuverlässigkeit, studiert (spezifische oder exemplarische) Datenblätter und sucht dann nach der technisch passenden und bezahlbaren Lösung. So erhöht man die Chancen und reduziert die Risiken.
Seinerzeit habe ich einfach eine universelle Lösung schaffen wollen, die grundsätzlich für jedes RAM-Backup-Problem einsetzbar ist. Anders ausgedrückt: ich bin einfach zu faul, mir für jeden Synthesizer den Kopf neu zu zerbrechen. Für jeden Spezialfall auzuloten, bei welchen RAM-Chip, welcher Lithiumbatterie, welchem Diodenleckstrom und welcher Umgebungstemperatur welche Lebensdauer erreicht wird, wäre einfach unwirtschaftlich.
Fetz schrieb:
Ich kenne nun wirklich nicht alle SRAM-Datenblätter, und meine Versuche, die zeigten, dass die Dinger ihren Inhalt real erst dann verlieren, wenn echt keine Spannung mehr da ist (<1V), stammen erst aus Mitte der 80er.
Natürlich kenn ich auch nicht
alle entsprechenden Datenblätter. Nur wenn ich Datenblätter habe, mache ich keine Versuche: das haben schließlich die Hersteller an einer genügend großen Stückzahl bereits gemacht. Wenn der Hersteller Datenerhalt ab 2 Volt garantiert, dann werde ich keine eigene statistische Versuchsreihe starten, bei wieviel Testexemplaren zu wieviel Prozent das auch noch bei 1,5 Volt gilt. Ein gekipptes Bit ist schon zuviel und da man letztendlich nie weiß, wie weit man von der tatsächlichen Schwelle zum Datenverlust entfernt ist, sollte man die Sicherheitsmarge doch so hoch wie möglich auslegen, oder?
Bei moderneren SRAMs wird die Spannung für den garantierten Speichererhalt mit 1,5 Volt angegeben, es gibt aber auch Spezialtypen mit niedrigeren Spannungen. Anfang der 80er waren die SRAMs bezüglich Stromverbrauch noch stärker spezialisiert als heute und auch die Unterschiede bei selektierten Typen sind enorm (es kommt da sehr auf die Suffix-Kennzeichnung an).
Übrigens bin ich überrascht, wie relativ häufig die alten RAMs defekt sind. Manchmal merkt man bereits an der Erwärmung, dass was nicht stimmt, manchmal speichert man was rein und beim Lesezugriff kommt Datenmüll raus. Insofern könnte ich mir vorstellen, dass auch die RAM-Leckströme (bei der reinen Datenerhaltung) generell im Laufe der Jahrzente ansteigen. Das ist aber eine reine Vermutung, da müsste man mal einen erfahrenen Festkörperphysiker konsultieren...
Womöglich haben wir uns vom ursprünglichen Thema zu sehr entfernt (ist ja hier schließlich kein Elektronik-Forum). Mein Versuch, mich deshalb möglichst kurz zu fassen, ist mal wieder gescheitert, sorry...
Grüße aus Hanau
